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【發(fā)布單位】貿(mào)易救濟局

【發(fā)布文號】商務(wù)部公告2025年第6號

【發(fā)文日期】2025年01月10日

2014年1月20日，商務(wù)部發(fā)布2014年第4號公告，決定自當(dāng)日起，對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅征收反補貼稅，稅率為0%－2.1%，實施期限為5年。2020年1月19日，商務(wù)部發(fā)布2020年第2號公告，決定自2020年1月20日起，繼續(xù)按照商務(wù)部2014年第4號公告公布的稅率對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅征收反補貼稅，實施期限5年。

2024年11月18日，商務(wù)部收到四川永祥多晶硅有限公司等13家公司代表國內(nèi)太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)提交的反補貼措施期終復(fù)審申請書。申請人主張，如果終止反補貼措施，原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅對中國的補貼可能繼續(xù)或再度發(fā)生，對中國產(chǎn)業(yè)造成的損害可能繼續(xù)或再度發(fā)生，請求商務(wù)部對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅進(jìn)行期終復(fù)審調(diào)查，并維持對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅實施的反補貼措施。

根據(jù)《中華人民共和國反補貼條例》有關(guān)規(guī)定，商務(wù)部對申請人資格、被調(diào)查產(chǎn)品和中國同類產(chǎn)品有關(guān)情況、反補貼措施實施期間被調(diào)查產(chǎn)品進(jìn)口情況、補貼繼續(xù)或再度發(fā)生的可能性、損害繼續(xù)或再度發(fā)生的可能性及相關(guān)證據(jù)等進(jìn)行了審查。現(xiàn)有證據(jù)表明，申請人符合《中華人民共和國反補貼條例》第十一條、第十三條和第十七條關(guān)于產(chǎn)業(yè)及產(chǎn)業(yè)代表性的規(guī)定，有資格代表中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)提出申請。調(diào)查機關(guān)認(rèn)為，申請人的主張以及所提交的表面證據(jù)符合期終復(fù)審立案的要求。

根據(jù)《中華人民共和國反補貼條例》第四十七條規(guī)定，商務(wù)部決定自2025年1月14日起，對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅所適用的反補貼措施進(jìn)行期終復(fù)審調(diào)查?，F(xiàn)將有關(guān)事項公告如下：

一、繼續(xù)實施反補貼措施

根據(jù)商務(wù)部建議，國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會決定，在反補貼措施期終復(fù)審調(diào)查期間，對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅繼續(xù)按照商務(wù)部2014年第4號公告和2020年第2號公告公布的征稅產(chǎn)品范圍和稅率征收反補貼稅。

對美國各公司征收的反補貼稅稅率如下：

1.赫姆洛克半導(dǎo)體公司            2.1%

（Hemlock Semiconductor Corporation）

2.REC太陽能級硅有限責(zé)任公司      0%

（REC Solar Grade Silicon LLC）

3.REC先進(jìn)硅材料有限責(zé)任公司     0%

（REC Advanced Silicon Materials LLC）

4.MEMC帕薩迪納有限公司         0%

（MEMC Pasadena，Inc.）

5.AE Polysilicon Corporation        2.1%

6.其他美國公司                     2.1%

二、復(fù)審調(diào)查期

本次復(fù)審的補貼調(diào)查期為2024年1月1日至2024年12月31日，產(chǎn)業(yè)損害調(diào)查期為2020年1月1日至2024年12月31日。

三、復(fù)審調(diào)查產(chǎn)品范圍

復(fù)審產(chǎn)品范圍是原反補貼措施所適用的產(chǎn)品，與商務(wù)部2014年第4號公告和2020年第2號公告公布的反補貼措施所適用的產(chǎn)品范圍一致，具體如下:

被調(diào)查產(chǎn)品名稱：太陽能級多晶硅。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。

被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述：以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的，用于生產(chǎn)晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產(chǎn)品。

被調(diào)查產(chǎn)品電學(xué)參數(shù)為：基磷電阻率<300歐姆·厘米（Ω · cm）；基硼電阻率<2600歐姆·厘米（Ω · cm）；碳濃度>1.0×1016（at/cm3）；n型少數(shù)載流子壽命<500μs；施主雜質(zhì)濃度>0.3×10-9；受主雜質(zhì)濃度>0.083×10-9。

主要用途：主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn)，是生產(chǎn)晶體硅光伏電池的主要原料。

該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。

四、復(fù)審內(nèi)容

本次復(fù)審調(diào)查的內(nèi)容為：如果終止對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶硅實施的反補貼措施，是否可能導(dǎo)致補貼和損害繼續(xù)或再度發(fā)生。

五、登記參加調(diào)查

利害關(guān)系方可于2025年1月14日起20日內(nèi)，向商務(wù)部貿(mào)易救濟調(diào)查局登記參加本次反補貼期終復(fù)審調(diào)查。參加調(diào)查的利害關(guān)系方應(yīng)根據(jù)《登記參加調(diào)查的參考格式》提供基本身份信息、向中國出口或進(jìn)口本案被調(diào)查產(chǎn)品的數(shù)量及金額、生產(chǎn)和銷售同類產(chǎn)品的數(shù)量及金額以及關(guān)聯(lián)情況等說明材料?！兜怯泤⒓诱{(diào)查的參考格式》可在商務(wù)部網(wǎng)站貿(mào)易救濟調(diào)查局子網(wǎng)站下載。

利害關(guān)系方登記參加本次反補貼調(diào)查，應(yīng)通過“貿(mào)易救濟調(diào)查信息化平臺”（https://etrb.mofcom.gov.cn）提交電子版本，并根據(jù)商務(wù)部的要求，同時提交書面版本。電子版本和書面版本內(nèi)容應(yīng)相同，格式應(yīng)保持一致。

本公告所稱的利害關(guān)系方是指《中華人民共和國反補貼條例》第十九條規(guī)定的個人和組織。

六、查閱公開信息

利害關(guān)系方可在商務(wù)部網(wǎng)站貿(mào)易救濟調(diào)查局子網(wǎng)站下載或到商務(wù)部貿(mào)易救濟公開信息查閱室（電話：0086-10-65197856）查找、閱覽、抄錄并復(fù)印本案申請人提交的申請書的非保密文本。調(diào)查過程中，利害關(guān)系方可通過相關(guān)網(wǎng)站查詢案件公開信息，或到商務(wù)部貿(mào)易救濟公開信息查閱室查找、閱覽、抄錄并復(fù)印案件公開信息。

七、對立案的評論

利害關(guān)系方對本次調(diào)查的產(chǎn)品范圍及申請人資格、被調(diào)查國家及其他相關(guān)問題如需發(fā)表評論，可于2025年1月14日起20天內(nèi)將書面意見提交至商務(wù)部貿(mào)易救濟調(diào)查局。

八、調(diào)查方式

根據(jù)《中華人民共和國反補貼條例》第二十條規(guī)定，商務(wù)部可以采用問卷、抽樣、聽證會、現(xiàn)場核查等方式向有關(guān)利害關(guān)系方了解情況，進(jìn)行調(diào)查。

為獲得本案調(diào)查所需要的信息，商務(wù)部通常在本公告規(guī)定的登記參加調(diào)查截止之日起10個工作日內(nèi)向利害關(guān)系方發(fā)放調(diào)查問卷。利害關(guān)系方可以從商務(wù)部網(wǎng)站貿(mào)易救濟調(diào)查局子網(wǎng)站下載調(diào)查問卷。

利害關(guān)系方應(yīng)在規(guī)定時間內(nèi)提交完整、準(zhǔn)確的答卷。答卷應(yīng)當(dāng)包括調(diào)查問卷所要求的全部信息。

九、信息的提交和處理

利害關(guān)系方在調(diào)查過程中提交評論意見、答卷等，應(yīng)通過“貿(mào)易救濟調(diào)查信息化平臺”（https://etrb.mofcom.gov.cn）提交電子版本，并根據(jù)商務(wù)部的要求，同時提交書面版本。電子版本和書面版本內(nèi)容應(yīng)相同，格式應(yīng)保持一致。

利害關(guān)系方向商務(wù)部提交的信息如需保密的，可向商務(wù)部提出對相關(guān)信息進(jìn)行保密處理的請求并說明理由。如商務(wù)部同意其請求，申請保密的利害關(guān)系方應(yīng)同時提供該保密信息的非保密概要。非保密概要應(yīng)當(dāng)包含充分的有意義的信息，以使其他利害關(guān)系方對保密信息能有合理理解。如不能提供非保密概要，應(yīng)說明理由。如利害關(guān)系方提交的信息未說明需要保密的，商務(wù)部將視該信息為公開信息。

十、不合作的后果

根據(jù)《中華人民共和國反補貼條例》第二十一條規(guī)定，商務(wù)部進(jìn)行調(diào)查時，利害關(guān)系方應(yīng)當(dāng)如實反映情況，提供有關(guān)資料。利害關(guān)系方不如實反映情況、提供有關(guān)資料的，或者沒有在合理時間內(nèi)提供必要信息的，或者以其他方式嚴(yán)重妨礙調(diào)查的，商務(wù)部可以根據(jù)已經(jīng)獲得的事實和可獲得的最佳信息作出裁定。

十一、調(diào)查期限

本次調(diào)查自2025年1月14日開始，應(yīng)于2026年1月14日前（不含本日）結(jié)束。

十二、商務(wù)部聯(lián)系方式

地址：中國北京市東長安街2號

郵編：100731

商務(wù)部貿(mào)易救濟調(diào)查局 進(jìn)口調(diào)查一處

電話：0086-10-65198435、65198757

傳真：0086-10-65198172

網(wǎng)站：商務(wù)部網(wǎng)站貿(mào)易救濟調(diào)查局子網(wǎng)站（http://trb.mofcom.gov.cn）

太陽能級多晶硅反補貼期終復(fù)審申請書（公開版）.pdf

太陽能級多晶硅反補貼期終復(fù)審申請書--附件（公開版）.pdf

太陽能級多晶硅反補貼措施期終復(fù)審登記參加調(diào)查的參考格式.wps

                                                                                中華人民共和國商務(wù)部

                                                                                   2025年1月10日