在漫長的科研道路上，總能看到幾個“開掛”的人生經歷。但每一個“開掛”人生背后卻有諸多不為人所知的故事。今后要向大家介紹一位90后小姐姐——王琰，2009年進入江南大學學習，2013年本科畢業，成功進入北京大學攻讀研究生，這其中付出的努力與艱辛可想而知！
哲學家尼采說“是金子埋在哪也會發光”，通過不斷努力，成為有才華的人，只要是有才華，終有一天會有人賞識的。
王琰進入北京大學后，先后獲得2013-2014年北京大學五四獎學金，2014-2015年北京大學學術創新特別獎和北京大學國家獎學金，2016年畢業時，斬獲北京市優秀研究生榮譽稱號！研究生期間，以第一作者身份發表兩篇文章（Nanotechnology, 27, 175201, 2016；Semiconductor Science and Technology. 30, 054004, 2015），第二篇文章被評為“2015年半導體科技亮點之一 ”。她的榮譽和成功背后都伴隨著默默地付出和堅定不移的努力！
2018年進入劍橋大學讀博深造，當年獲得劍橋大學的Trinity-Henry Barlow 獎學金。她的主要研究興趣是基于二維過渡金屬二硫化物的電子和光電器件。
讀博一年，她便發表了人生的第一篇《Nature》!
隨著場效應晶體管中半導體通道尺寸的減小，源極和漏極處金屬-半導體界面的接觸電阻增加，從而決定了器件的性能。二維(2D)過渡金屬二硫化物如二硫化鉬(MoS2)已被證明是用于超薄場效應晶體管的優秀半導體。然而，在金屬和二維過渡金屬二硫化物之間的界面上觀察到異常高的接觸電阻。最近的研究表明，由轉移的石墨烯和金屬在少層過渡金屬二硫屬化物上形成的范德華接觸產生了良好的接觸性能。然而，三維金屬和單層二維過渡金屬二硫化物之間的范德華接觸尚未得到證實。鑒于此，王琰等人報告了在10納米厚的銦金屬（其上覆蓋有100納米厚的金電極）和單層MoS2之間實現超清潔范德華接觸。使用掃描透射電子顯微鏡成像，作者發現銦和金層在200攝氏度退火后形成固溶體，金覆蓋的銦和MoS2之間的界面是原子尖銳的，金屬和金屬之間沒有可檢測到的化學相互作用。2D過渡金屬二硫化物，表明金覆蓋的銦和單層MoS2之間存在范德華型鍵合。銦/金電極的接觸電阻對于單層MoS2為3000±300 ohm微米，對于少層MoS2為800±200 ohm微米。這些值是蒸發到MoS2上的3D金屬電極觀察到的最低值，使高性能場效應晶體管的遷移率達到167±20平方厘米/伏/秒。作者還展示了在與銦合金接觸的二硫化鎢(WS2)和二硒化鎢(WSe2)中超薄二硫化鈮(NbS2)和接近理想的帶偏移的低接觸電阻為220±50歐姆微米，表明無缺陷界。該工作提供了一種使用標準實驗室技術在單層二維半導體上制造超清潔范德華接觸的簡單方法。
時隔3年，再發《Nature》!
要想做真正的科研，就得耐得住性子不浮躁！經得起時間推敲與沉淀的 必是精品！時隔3年終再發《Nature》!
數字邏輯電路是通過互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術基于互補的n型和p型場效應晶體管（FETs）對。在三維（3D或塊狀）半導體中，受體或供體雜質的替代性摻雜被用來實現p型和n型場效應晶體管。然而，低維半導體如二維過渡金屬二氯化物（2DTMDs）的可控p型摻雜已被證明具有挑戰性。盡管有可能在二維TMDs上實現高質量、低電阻的n型范德瓦爾斯（vdW）接觸，但迄今為止，通過在二維TMDs上蒸發高功函數金屬獲得p型器件還沒有實現。在此，王琰等人報告了基于工業兼容的高功函數金屬（如Pd和Pt）的電子束蒸發的單層和少層二硫化鉬(MoS2)和二硒化鎢(WSe2)上的高性能p型器件。使用原子分辨率成像和光譜學，作者展示了接近理想的vdW界面，而2DTMD和3D金屬之間沒有化學相互作用。電子傳輸測量表明，費米能級是非釘扎的，基于vdW觸點的p型FET在室溫下表現出3.3 kΩ·μm的低接觸電阻、～190cm2-V-1s-1的高遷移率值，飽和電流超過>10-5安培/微米(A-μm-1)和107的開/關比。作者還展示了基于n型和p型vdW觸點的超薄光伏電池，開路電壓為0.6V和0.82%的功率轉換效率。
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